1.实验内容: (1) 了解硅光电池的基本结构及基本原理；(2)研究硅光
电池伏安特性、硅光电池短路电流与开路电压、相对强度的关系.
2.硅光电池.
3.半导体光源、暗箱.
4.电压测量范围：0-1.999V, 0-19.99V, 3位半数显.
5.电流测量范围：0-1.999mA, 0-19.99A, 3位半数显.
6.负载电阻：0-9999Ω.
7.光强测量范围:0-1900LUX.